科技行业中期策略：AI Agent驱动算力新周期与自主可控再加速-260722（32页）.pdf

核心结论速览： 推理算力需求拐点已至，国产AI芯片采购比例持续提升：2026年3月国内Token日均调用量超140万亿次。在国产大模型快速发展以及政策自主可控需求共同推动下，国内AI芯片采购需求快速攀升、国产采购比例持续提升。 国产大模型与国产算力Day0适配已成常态：DeepSeek-V4预览版上线当日即完成寒武纪、华为昇腾等国产芯片适配。智谱GLM-5.2上线首日亦完成与多家国产算力平台适配。国产算力替代从"政策驱动"进入"性能驱动"阶段。 超节点架构是打破算力通信墙瓶颈的关键：阿里云磐久AL128单机柜128卡紧密耦合，P2P通信时延低于150纳秒。华为CloudMatrix 384单卡推理吞吐量达2300 Tokens/s，较非超节点提升近4倍。超节点正从英伟达方案向国产方案全面扩散。 存储涨价对安卓产业链影响大于苹果产业链：存储器件占苹果机型BOM比例相对较低，且苹果终端创新力度较大。TrendForce预估2026年全球智能手机生产总量降至10.51亿，同比下降约16.2%。 垂直供电有望于2H26上量，TLVR电感价值量从0.5美元向1-2.5美元跃升：谷歌TPU V7有望于2026年下半年率先采用垂直供电模块方案。TLVR电感可实现约4-5mm超薄设计。单颗价值量从传统0.5美元向1-2.5美元以上快速提升。 AI挤占效应正推动功率半导体从收入修复迈入盈利修复：英飞凌AI相关功率器件料号交付紧张，2026年AI直接收入预计15亿欧元（较25年翻倍以上）。行业厂商在2026年3-4月及7月已进行两轮调价。 国内OSAT厂2.5D产能2026年起规模投放，先进封装价值量系统性提升：甬矽电子、长电科技、盛合晶微、通富微电、华天科技、深科技等合计投资超368亿元。华为麒麟2026手机SoC将采用3D封装。H2：推理算力与自主可控的现状与路径——从"可用"到"好用"的国产替代加速。2026年，推理算力需求正从"补充"变为"主导"。国家数据局统计显示，2026年3月中国国内Token日均调用量超过140万亿次，较2024年初增长超过千倍。OpenRouter数据进一步显示，截至2026年6月第一周，中国模型的Token调用量已连续6周位居全球第一。这一拐点的核心意义在于：推理端算力需求正在快速追赶训练端，且增速远超预期。国产AI芯片的替代进程正处于从"可用"到"好用"的关键跃迁期。2025年中国AI加速芯片市场中，英伟达和AMD占据58.7%的市场份额，其中英伟达以55%的份额占据主导地位。华为海思占据20%市场份额，平头哥、寒武纪、昆仑芯、海光、沐曦、天数等厂商份额较为领先。2026年的关键变化在于：DeepSeek-V4预览版上线当日即完成寒武纪、华为昇腾等国产芯片的Day0适配；智谱GLM-5.2上线首日亦完成与多家国产算力平台的推理适配。国产大模型与国产算力的深度协同能力已从"政策倡导"变为"技术现实"。政策端，5月26日发布的《安全可靠测评结果公告（2026年第2号）》首次将AI训练推理芯片纳入测评，9款国产芯片获I级认证。昇腾310、昇腾910、真武M530/M890、壁砺166、DCU-3G、KCC-V100X、MXC600、PH100均榜上有名。这一认证体系的建立，标志着国产AI芯片从"可用"进入"可信"阶段。从竞争格局演变看，短期供给格局相对分散，但伴随国内先进制程代工逐步成熟，预计2027年往后国产AI芯片供给能力有望进一步改善。下游客户采购考核权重中产品性能评分重要性将大幅提升，中国AI芯片市场格局有望向海外市场靠拢，"强者恒强"定律或将重新生效。（数据来源：国家数据局、OpenRouter、IDC、中国信息安全测评中心）。H2：超节点互联——打破通信墙瓶颈的关键技术路径。超节点的核心思想是通过高速互联技术将数十、数百甚至数千颗AI芯片形成规模化计算单元，具备高带宽、低时延特点，并通过内存统一编址实现设备间基于内存语义的直接访问。这一技术路径正是解决"通信墙瓶颈"的关键。国内AI芯片厂商和互联网大厂正在陆续落地并深化其超节点方案。2025年9月云栖大会上，阿里云发布磐久AL128单机柜超节点服务器，单机柜128卡紧密耦合互联，芯片间P2P通信时延低于150纳秒，单机柜带宽达到Pb/s级，可承载海量Agent并发请求。2025年华为开发者大会上，华为宣布基于CloudMatrix 384超节点的新一代昇腾AI云服务全面上线，单卡推理吞吐量达2300 Tokens/s，与非超节点相比提升近4倍。腾讯ETH-X Ultra（2024年11月首发）、字节大禹（2025年11月首发）、曙光ScaleX（2025年11月首发）等方案也相继落地。超节点对底层交换芯片的拉动效应远超传统数据中心。传统数据中心扩容推动我国商用以太网交换芯片市场规模从2020年的90亿元增长至2025年的171.4亿元。而ScaleUp网络侧，单颗GPU配套交换芯片的用量较传统ScaleOut网络可达10倍量级。具体配比数据提供了清晰的量化参考：ScaleOut网络侧，英伟达DGX H100 SuperPOD的GPU与交换芯片配比为1:0.05，字节MegaScale为1:0.04。ScaleUp网络侧，DGX A100为1:0.75，DGX H100为1:0.5，DGX B200为1:0.25。英伟达Vera Rubin NVL72（2026）配置中，NVLink6 Switch的用量或提升至36颗，配比达1:0.5。这一配比差异意味着超节点普及将带来交换芯片市场的数倍扩张。（数据来源：Semianalysis、各公司官网）。H2：存储涨价周期中的结构性机会与风险。2H26存储合约价或将延续上涨趋势，但结构性分化明显。25年下半年以来，受益于AI强劲需求拉动，存储价格呈现快速增长态势。供给缺口短期无法补足，2H26大宗DRAM/NAND合约价格将进一步上涨。NOR Flash、SLC NAND等利基型存储产能受挤压，2H26价格亦有望进一步抬升。原厂长期供货协议（LTA）的普及是本轮周期的重要特征。美光3QFY26业绩会上披露，公司已与客户签署16份SCA协议，以5年期为主，覆盖期间约20%的DRAM出货量和1/3的NAND出货量。SCA采用Take-or-Pay机制，并引入价格上下限设计，上限对应CY26Q2市场价格水平，下限确保毛利率高于历史峰值。长协锁价普及有望较好平滑存储周期波动。全球存储原厂扩产相对节制。根据TrendForce数据，2025年DRAM产业资本支出约537亿美元，2026年预计719亿美元（+34%）；NAND Flash资本支出从211亿美元提升至236亿美元（+12%）。三星、SK海力士及美光当前追加的资本开支绝大部分全额倾斜于HBM高层数封装产线扩建与先进制程工艺技术升级。对终端的影响方面，存储涨价叠加国补退坡，2026年消费电子终端出货量承压。TrendForce预估2026全年全球智能手机生产总量将降至10.51亿，同比下降约16.2%。供应链层面，存储器件占苹果机型BOM比例相对较低，且苹果终端创新力度较大，存储涨价对安卓链影响大于苹果产业链。（数据来源：闪存市场、TrendForce、美光3QFY26业绩会）。H2：服务商生态的"断层"与机会——从垂直供电到TLVR电感的供应链重塑。AI服务器功耗持续攀升正在重塑被动元件与功率半导体的供应链格局。垂直供电技术的落地是其中最具代表性的变化。在三次电源侧（12V DC降压至0.6-1V DC），背部垂直供电成为关键技术变革方向。背部供电是指将DRMOS、电感、电容、PCB封装成一个电源模块，放置于GPU正下方（母板背面）供电。相较水平供电模式，垂直供电大幅缩短传输路径，PDN阻抗下降超90%；释放正面散热与布线空间；提高电源模块反应频率从kHz级别向MHz级别升级。从产业落地节奏看，相比英伟达等通用GPU，以谷歌、亚马逊为首的自研ASIC公司有望更快导入垂直供电方案。核心原因在于垂直供电是芯片、封装、载板、PCB、电源模块及整机散热协同优化的系统级架构变化。谷歌TPU V7有望于2026年下半年率先采用垂直供电模块方案。垂直供电趋势下，芯片电感开启通胀曲线。TLVR耦合电感凭借多相磁耦合架构，可实现多相电流同步响应，显著改善负载瞬态性能。形态上，TLVR电感可实现约4-5mm超薄设计，更好适配背部供电的高度限制。TLVR市场有望受益于三大驱动：大算力芯片出货量快速增长；单芯片功耗持续提升导致单芯片对应电感需求增加；垂直供电下芯片电感向TLVR升级带来价值量从0.5美元/颗向1-2.5美元以上快速提升。供应链商业模式演变也为国内电感企业提供了导入海外算力链的契机。当前大量DRMOS芯片厂商（英飞凌、MPS、瑞萨、TI等）开始向上升级成为三次电源模块方案商，台达、伟创力等公司也逐步布局三次电源模块业务。各家三次电源模块设计方案和封装形式不一，电感需要定制，受限于芯片与电源企业均不具备电感自研自产能力，各家存在培育专属电感供应商的需求。以乾坤为代表的台达系电感厂商受母公司商业模式层面的竞争约束，难以全面覆盖所有布局三次电源模块的主流客户，为众多独立电感厂商打开切入窗口。国内厂商凭借材料自研、快速响应客户需求的优势，在芯片电感赛道已占据先发优势。（数据来源：英飞凌官网、ADI、各公司公告）。H2：功率半导体的补库周期与涨价逻辑。海外功率半导体自2022年高点以来经历近三年下行周期。英飞凌、安森美、意法半导体合计季度收入在2022-2023年达到高位后持续回落，至2024-2025年进入底部震荡。转至2025年末至2026年，AI数据中心逐步上量后对成熟功率产能的挤占效果逐步放大，催生传统市场迈入补库周期。一方面，AI服务器电源架构升级带来低压MOS、DrMOS/Power Stage、SiC/GaN、整流器件、电源管理IC等需求快速增长，头部厂商将更多产能优先分配至AI相关高毛利产品。英飞凌预期2026年AI直接收入达到15亿欧元，较25年翻倍以上提升。另一方面，经历过前三年行业持续去库存后，渠道和大客户库存水位已处于偏低区间，终端客户重新关注交付安全保障。涨价是这一轮周期的核心信号。行业厂商分别在2026年3-4月以及7月陆续进行了一轮和二轮调价，代表行业系统性进入供需紧张。海内外功率公司正从收入修复进入价格与盈利能力修复阶段，下半年若汽车/工业需求继续边际改善，三次涨价的假设条件有望进一步强化。（数据来源：Bloomberg、英飞凌业绩会、各公司涨价函）。H2：先进封装的国产化加速——2.5D规模投放与3D手机SoC落地。国内先进封装正迎来产能与技术的双重突破。产能端，国内OSAT厂2.5D产能2026年起进入规模投放期。甬矽电子微电子高端IC封测三期103亿（Bumping、2.5D、FC倒装、高端WB）；长电科技上海临港高端先进封测工厂78亿（2.5D/3D、晶圆级、HBM配套、算力芯片高端FC-BGA）；盛合晶微3DIC制造项目100亿（3DIC规模量产产能）；通富微电定向增发不超过42.2亿（晶圆级先进封测、HPC、存储封测、汽车电子）；华天南京先进封测基地二期二阶段30亿（存储封测为主，配套2.5D/面板级先进封装）；深科技沛顿存储扩产14.7亿（DRAM/NAND高端存储封测）。六家企业合计投资超368亿元。技术端，3D封装开始在手机SoC上应用。根据华为何庭波发布的论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》，华为2026年即将发布的麒麟2026手机SoC将应用到Logic Folding架构，即采用W2W混合键合的3D封装架构。麒麟芯片Roadmap显示：2023年Kirin 9000s为Planar架构、2024年Kirin 9020为Planar、2025年Kirin 9030 pro为Planar、2026年Kirin 2026切换至Logic Folding架构（频率3.10GHz）、2027年Kirin 2027维持Logic Folding（3.39GHz）、2028年Kirin 2028（3.71GHz）、2029年Kirin 2029（4.00GHz）。CoPoS作为CoWoS的下一代封装，长期替代趋势明确。台积电将CoWoS中介层上限由9.5x提升至14x reticle size后，CoPoS替代必要性或将推迟。据Trendforce，台积电2026年6月将有望建成CoPoS中试线，大规模量产或将到2028年之后。玻璃基板方面，Intel于2026年1月发布全球首款采用玻璃芯载板的商用CPU Clearwater Forest（Xeon 6+，18A制程），已实现高批量制造。据SEMI预测，玻璃基板2028-2040年市场CAGR将达67.2%。（数据来源：各公司公告、Tingbo He论文、Trendforce、SEMI）。延伸阅读。以上为报告核心趋势分析，如需获取完整报告详细数据及全部案例，请访问下载页下载完整PDF报告。FAQ。Q1：国产AI芯片替代当前最大的瓶颈是什么？A：当前最大瓶颈在先进制程产能。短期供给格局相对分散，伴随国内先进制程代工逐步成熟，预计2027年往后国产AI芯片供给能力有望进一步改善。产品性能评分在客户采购考核中的重要性将大幅提升。Q2：垂直供电技术何时能大规模落地？A：谷歌TPU V7有望于2026年下半年率先采用垂直供电模块方案。相比英伟达等通用GPU，自研ASIC公司有望更快导入。TLVR耦合电感是垂直供电的关键配套元件。Q3：功率半导体涨价是否可持续？A：行业厂商已在2026年3-4月及7月进行两轮调价。AI挤占效应持续压缩非AI产能，叠加传统市场补库周期。若下半年汽车/工业需求继续边际改善，三次涨价条件有望进一步强化。Q4：国内先进封装与全球龙头的差距有多大？A：台积电2nm已量产，国内距全球龙头在先进工艺上尚有3-4年差距。2.5D封装产能2026年起规模投放。3D封装已在手机SoC落地（华为麒麟2026）。CoPoS大规模量产或到2028年之后。Q5：存储涨价对消费电子产业链的影响如何量化？A：TrendForce预估2026年全球智能手机生产总量降至10.51亿，同比下降约16.2%。存储器件占苹果BOM比例相对较低，对安卓链影响大于苹果链。具备高端产品溢价能力的品牌倾向维持稳定甚至扩大市占。Q6：半导体设备国产化率最低的环节是哪些？A：光刻设备国产化率仅5-10%（成熟制程）/0-1%（先进制程）。涂胶显影10-15%（成熟制程）/小于5%（先进制程）。量测10-15%（成熟制程）/小于5%（先进制程）。离子注入10-20%（成熟制程）/小于5%（先进制程）。这些环节是国产替代空间最大的方向。数据来源说明。本报告数据来源于：国家数据局、OpenRouter、中国信息安全测评中心、IDC、弗若斯特沙利文、Semianalysis、各公司官网及公告、TrendForce、美光3QFY26业绩会、闪存市场、英飞凌官网及业绩会、ADI、Bloomberg、各公司公告（甬矽电子/长电科技/盛合晶微/通富微电/华天科技/深科技）、Tingbo He《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》、SEMI、全球半导体行业观察。