电子行业海外存储深度报告（一）：需求爆发+供给刚性AI驱动存储新周期-260421（30页）.pdf

1、需求爆发+供给刚性，AI驱动存储新周期-海外存储深度报告(一)报告摘要：在AI时代HBM或为需求弹性最大的存储器,从英伟达Rubin到RubinUItra，HBM容量提升了4倍。HBM通过硅通孔技术将多个DRAM裸片进行3D垂直堆叠，是当前解决AI训练和高端大模型推理解码阶段带宽瓶颈的解决方案。从英伟达H100到H200，从B200到B300，HBM显存容量提升了50%；而从Rubin到RubinUltra，容量更是提升了4倍。HBM涨价预计至少持续到2027年，三大巨头与客户签订长期协议以提高需求可见性、降低资本支出风险，有利于提升存储厂的估值。（1）AI时代存储厂客户从PC手机厂商变为了价

2、格相较不敏感的大型云服务厂商，使得HBM成为卖方主导的市场。（2）生产相同容量的HBM，其消耗的晶圆面积大约是标准DDR5内存的三倍，产能“挤占”效应严重。（3)HBM需要复杂的晶圆减薄、TSV打孔与热压键合工艺，导致HBM产能的扩张严重滞后于需求的爆发。（4）由于TSV先进封装和无尘室的建设周期长，物理产能的扩建在短期内依然无法追平算力基础设施的膨胀速度，预计HBM涨价可能持续到2027年。在2026年第一季度，HBM的综合平均合约价环比增长50%sim55%。三星电子、SK海力士和美光科技与主要客户签订长期协议(LTA)，以获取预付款、提高需求可见性、降低资本支出风险，我们认为，LTA的达

3、成有利于提升存储厂的估值。在AI存储时代，封装良率与大客户验证速度是份额的核心决定因素。（1）由于海力士率先量产HBM2E、HBM3、HBM3E，深度绑定英伟达的A100/Hl00周期，据CounterpointResearch的数据显示，截至2025年第三季度，SK海力士以57%的营收份额保持领先地位。我们认为，海力士在HBM领域份额第一的核心优势是其较早使用MR-MUF封装技术，散热性能更佳、导热率更高，力度较小在堆叠过程中损坏芯片的可能性较低，使得良率水平较高。（2）三星早期战略重心更多地放在DRAM、对HBM“犹豫”，并一直坚持传统的TC-NCF技术，在层数增加时容易出现芯片翘曲和散热

4、不佳的问题，导致良率受限，使得其在英伟达客户验证受阻。（3）美光采取了极其激进的战略，直接跳过HBM3世代，利用其先进的1-beta制程节点全力押注HBM3E。凭借优异的低功耗表现，美光成功通过英伟达验证，并在2025年三季度迅速抢占全球21%的市场份额，这部分份额绝大多数是从三星手中夺走的。HBM扩产：海力士和三星TSV月产能有望分别达到20、25万片。2026年作为HBM4的决战之年，市场的核心围绕着英伟达VeraRubin架构展开。三星计划进行近年来规模最大的DRAM产能扩张之一，预计2026年三星HBM产能将从2025年年底的每月约17万片增至2026年的每月25万片，增幅接近50%，

5、主要是转换现有DRAM产能和平泽P4晶圆厂集群新建产线。SK海力士提前HBM扩产节奏，清州的M15X新工厂计划在2026年底前实现数倍的规模化爬坡，预计M15X工厂平均每月产量从1万片增至明年平均每月8万片。美光2026财年资本支出预计将增至250亿美元，2027财年有望达到300亿美元以上。风险提示：存储需求不及预期、长鑫HBM进展超预期竞争加剧。优于大势相关报告1AI对HBM、DRAM、NAND及SRAM需求的提振随着AI的发展，存储芯片已从传统的系统配套组件转变为决定算力系统性能与经济性的核心战略资产。人工智能基础设施的快速扩张,正在重塑高带宽内存(HBM)、动态随机存取存储器(DRAM

6、)、闪存(NANDFlash)以及静态随机存取存储器(SRAM)的需求曲线。HBM是通过3D封装技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起的先进存储器，专为AI芯片提供极高的数据吞吐量并有效降低功耗。HBM是一种通过3D封装技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起的先进存储器，HBM技术的工作原理是将存储芯片垂直堆叠，从而缩短数据传输距离，同时实现更小的尺寸，专为高级GPU和AI芯片提供极高的数据吞吐量并有效降低功耗。TSV（Through-SiliconVia，“硅通孔”或“穿透硅槽）允许多个HBMDRAM芯片直接连接，从而提高整体内存带宽。(divcenter)图1:HBM是一种用于3D堆叠式DRA